Samsung Now Mass Producing 96-слойный 3D-NAND

Samsung Now Mass Producing 96-слойный 3D-NAND

За последние три года мы увидели революцию, колеблющуюся по поводу производства NAND, поскольку компании переходят к сложным конфигурациям NAND, которые накапливают десятки слоев памяти непосредственно друг над другом, а не в обычной 2D-конфигурации. Samsung анонсировала еще одну важную веху в этом процессе и теперь находится в серийном производстве на V-NAND V-NAND (V-NAND - это особый бренд Samsung для своих продуктов 3D NAND). Новый NAND будет использовать интерфейс Toggle DDR 4.0 от Samsung и передавать данные между памятью и памятью внутри устройства со скоростью до 1,4 Гбит / с. Это, по-видимому, относится к скорости перемещения данных между любым DDR-кешем внутри накопителя и самим приводом.

Новые чипы в 1,5 раза плотнее, чем предыдущий 64-слойный V-NAND, но, как говорят, общая эффективность питания остается неизменной благодаря уменьшению рабочего напряжения (1,2 В, по сравнению с 1,8 В). Скорость записи данных, как говорят, составляет 500 мкс (улучшение на 30% по сравнению с предыдущими поколениями), в то время как время отклика на сигналы считывания также уменьшено до 50 мкс (Samsung не дает точной цифры для этого улучшения, но называет значительный прирост).

Пятое поколение NAND от Samsung
Пятое поколение NAND от Samsung

Компания заявляет, что дальнейшие усовершенствования и усовершенствования ее общего производственного процесса позволили ей увеличить производительность производства на 30 процентов, одновременно снижая высоту каждого слоя ячейки на 20 процентов и одновременно уменьшая перекрестные помехи между ячейками. Учитывая, что более толстые клеточные стенки и более крупные ячейки являются одним из самых простых способов сокращения перекрестных помех, снижения высоты ячеек, снижения рабочего напряжения и повышения производительности одновременно, это впечатляющий хет-трик улучшения.

«Продукты и решения V-NAND от V-NAND от Samsung будут поставлять самые передовые NAND на быстрорастущем рынке премиум-памяти», - сказал Kye Hyun Kyung, исполнительный вице-президент компании Flash Electronics и технологии Flash. «В дополнение к передовым достижениям, которые мы объявляем сегодня, мы готовимся к внедрению 1-терабит (Tb) и четырехъядерных ячеек (QLC) в нашу линейку V-NAND, которая будет продолжать набирать обороты для следующего поколения NAND на мировом рынке ».

Цены на NAND SSD на самом деле снижались в последнее время, поскольку избыточное предложение подталкивает затраты ниже в течение длительного периода более высоких цен. Я видел, что 2TB-накопители теперь продаются за 200 долларов или меньше, и хотя это все еще намного больше, чем вы платите за жесткий диск эквивалентной емкости, этот разрыв неуклонно падает. У жестких дисков, конечно же, есть блокировка доступной емкости - вы можете купить SSD на 10 Тбайт, но это повредит намного больше, чем жесткий диск на 10 Тбайт, - но разница становится все более академичной каждый год, поскольку основные возможности SSD продолжают улучшить. Переход на 3D-NAND является основным фактором вождения этих сокращений, в то время как смены на PCI Express и от SATA позволили продолжить улучшение производительности. Благодаря работе, подобной Samsung, эти улучшения затрат должны продолжаться и в следующем поколении.

Читать далее

Intel выпускает 96-слойный QLC второго поколения с новым 665p SSD
Intel выпускает 96-слойный QLC второго поколения с новым 665p SSD

Этот тип хранилища является основой для нового твердотельного накопителя Intel 665p, накопителя с небольшим набором улучшений и значительным увеличением выносливости.