Samsung берет корону скорости GDDR6 с новыми модулями 24 ГБ/с

В нынешней борьбе за скорость памяти GPU между AMD и NVIDIA, Micron и Nvidia одержали решающую победу. Вместе компании сделали GDDR6X, который превышает 21 ГБ/с. Эта память нашла свой путь к высококлассным графическим процессорам NVIDIA, названным RTX 3080 и 3090. Тем временем AMD использовал более медленные модули 16 ГБ/с на своем RX 6900 XT, но затем увеличил это до 18 ГБ/с для обновленного RX 6950 XT. Анкет Как вы можете видеть, там есть довольно четкая дельта, хотя предложения AMD не были скусовыми благодаря Cache Infinity. Теперь у Samsung есть один из них микрон и разработал первый в мире 24 ГБ/с GDDR6. Обратите внимание, что он не применяет X к брендингу Ram, поэтому он на пять процентов меньше прохладно.

Samsung сделал объявление в пресс -релизе. В нем говорится, что он разработан специально для «высококлассной графики следующего поколения». Интересно, что это не назвало никаких клиентов, но кажется маловероятным, что он обнародовал бы его без подписания хотя бы одного крупного клиента. Samsung говорит, что он смог достичь этих скоростей благодаря комбинации нового конструкции схемы и расширенного изоляционного материала. В отличие от своего конкурента, GDDR6X, GDDR6 соответствует JEDEC. Samsung использовал свой процесс 10 нм третьего поколения наряду с технологией Extreme Ultraviolet (EUV) в производственном процессе.

Samsung уже отбирает новые чипы в мощности 16 ГБ для неназванных компаний. Он говорит, что его клиенты будут подтверждать их в ближайшем будущем. Это время интригует, так как AMD и Nvidia скоро также запустит графические процессоры следующего поколения. Похоже, что AMD примет его, но неизвестно, есть ли в работе Micron и Nvidia что-то вроде GDDR7. В любом случае, если предложение Samsung будет быстрее, чем любая тестирование NVIDIA, оно, вероятно, поменяло бы лагеря, чтобы получить его. Предыдущие слухи показали, что у Nvidia был GDDR7 на 24 ГБ/с для его 40-х серий, но это все еще просто слух.

Усовершенствованный изолирующий материал использует Samung-это металлические затворы с высоким K (HKMG), который предотвращает утечку тока. Это позволяет IC быть более эффективным и работать при более низких температурах. Samsung говорит, что новые модули поддерживают 1,1 В мощности, в отличие от отраслевого стандарта 1,35/125 В. Он использует новую технологию динамического переключения питания, чтобы переключаться вперед и назад, когда это необходимо. В целом, это позволяет снизить снижение энергопотребления на 20 процентов по сравнению с предыдущими модулями 18 ГБ/с. Это также на 30 процентов быстрее, что позволяет иметь максимум 1,1 ТБ/с пропускной способности.

Эта последняя новость от Samsung, безусловно, поднимет ставку в предстоящих войнах в области графических процессоров. Для этого поколения карт (RDND2 против AMPERE) AMD отставал от NVIDIA на листе Spec, но в основном составлял разницу с его кэшем бесконечности. Ходят слухи, что Nvidia берет страницу из этой пьесы для своей архитектуры ADA Lovelace 40-х серий. Было предположено, что NVIDIA будет подхватывать L2 в 16x по сравнению с Ampere. Со своей стороны, AMD может удваиваться на кеше бесконечности, используя 3D-стеки, чтобы буквально удвоить его размер. Это количество кеша езда вместе с (или на вершине) супер-бывшей памяти GDDR6 действительно может быть мощной комбинацией. Пока мы должны ждать, пока другая обувь упадет. Будет ли первым клиентом AMD, NVIDIA или Intel?

Читать далее

Dell для представления запатентованного модуля памяти DDR5 для ноутбуков

Утечка маркетинговых материалов Show Dell разработала собственный модуль памяти DDR5 для его предстоящей прецизионной рабочей станции.