Intel может перенести производство оптана в Китай, нет планов наращивать NAND
Intel может перенести производство Optane на Fab 68 в Китае после того, как сделка с Micron разорвется - и, конечно, вероятно, если предположить, что продолжающаяся китайская торговая война будет разрешена к тому времени.
На прошедшем на прошлой неделе дне аналитиков генеральный директор Intel Боб Свон объявил, что его компания не будет расширять собственное производство 3D NAND в ближайшем будущем, хотя и продолжит развертывать проекты 3D NAND более высокого уровня, что позволит наращивать мощности. существующие линии.
Intel не ожидает прибыльности в NAND в этом году (это неудивительно, учитывая резкое снижение цен на рынке NAND), и увеличение продаж Optane, как ожидается, также будет трудным, учитывая, сколько разрыва открылось между NAND и новейшими Intel технология памяти. Были подняты вопросы о том, насколько успешной будет реализация Optane, учитывая предположительно ограниченные преимущества в производительности от адаптации постоянной памяти Optane DC. Возможно, что реорганизация приложений с целью использования более конкретных преимуществ возможностей Optane может привести к лучшим результатам, но это пока неизвестно.
Вопросы торговли с Китаем, несомненно, станут еще одним фактором принятия решений Intel. На Уолл-стрит до утра понедельника предполагалось, что США и Китай разрешат этот спор относительно дружелюбно. В понедельник индекс Dow упал на 2,45 процента, снизившись более чем на 600 пунктов, поскольку инвесторы отреагировали на продолжающиеся проблемы между двумя странами. Эта проблема все еще может быть решена задолго до того, как Fab 68 будет готов к сборке Optane, но требуется значительное количество времени для наращивания мощности для массового производства. Если торговые проблемы между США и Китаем сохранят тарифы на месте, для Optane может быть чрезвычайно трудно утвердиться на рынке, особенно с учетом того, что он уже несет ценовую премию по сравнению с NAND.
Все это поднимает сложные вопросы для Intel, которая должна будет решить, какой литейный завод использовать для будущих планов расширения Optane, не зная точно, каким может быть статус-кво с Китаем. Уже довольно сложно представить новый тип памяти в качестве конкурента NAND или DRAM, учитывая масштабный фактор, которым эти технологии уже обладают. Делать это во время снижения цен еще сложнее, потому что цены на DRAM и NAND падают из-за избыточных мощностей, в то время как Intel не может использовать те же условия, чтобы снизить цену на Optane. Запуск новой технологии памяти во время спада цен, когда на конечные товары может взиматься тариф в размере 10-25 процентов, еще больше усложняет ситуацию. В то время как взимаемый тариф может быть одинаковым в процентном отношении, более дорогая память заканчивается большим увеличением цены в долларах. Покупки серверов и компании-производители гораздо меньше подвержены влиянию затрат, чем ваш средний потребитель, но это не означает, что цена аппаратного обеспечения не имеет значения, особенно при попытке представить новую технологию в новых сегментах рынка, для которых требуется поддержка программного обеспечения, чтобы достичь ее полный потенциал.
Читать далее
Фирма-активист призывает Intel «изучить альтернативы» производству собственных чипов
Intel сталкивается с призывами от инвестора-активиста изучить стратегические альтернативы и потенциал для выделения или продажи предыдущих приобретений.
Intel призвала «изучить альтернативы» производству собственных чипов
Intel сталкивается с призывами от инвестора-активиста изучить стратегические альтернативы и потенциал для выделения или продажи предыдущих приобретений.
Microsoft попросила AMD увеличить производство Xbox Series S и Series X
Microsoft чувствует жар с точки зрения поставок консолей - настолько, что она напрямую обращается к AMD за любой помощью, которую она может предоставить.
Отчет: Проблемы с упаковкой, спрос на PS5 может нанести ущерб производству TSMC
Нехватка оборудования, которая в настоящее время поражает большую часть рынка ПК, может быть вызвана нехваткой необходимого компонента при производстве микросхем, а не низкой доходностью 7-нм узла TSMC.