Intel затримує 10-нм пошкоджений до 2019 р., Найняв Джима Келлера, щоб виправити це

Минулого року Intel розповіла інвесторам та пресі, що вона почала ранні перевезення на 10нм, хоча вона відмовилася визначити, які частини це стосується, або коли ми побачимо обсяги поставок. Аналогічним чином, компанія оголосила, що його сім'я 8-го покоління буде включати в себе кілька чіпів по 14-нм, 14-нм +, 14-нм + + і 10-нм. Сьогодні Intel заявила, що це призведе до затримки обсягів відвантаження на 10нм в 2019 році, а не на відстані у першій половині 2018 року.

Ось цитата генерального директора Брайана Кржаніча:

Ми продовжуємо робити прогрес у нашому 10-нанометровому процесі. Ми перевозимо невеликий обсяг, а врожайність покращується, хоча швидкість поліпшення є повільною, ніж ми очікували. В результаті обсяг виробництва переходить з другої половини 2018 року до 2019 року. Ми розуміємо проблеми з виходом та визначили для них поліпшення, але для реалізації та кваліфікації потрібен час. У нас є продукти лідерства на дорожній карті, які продовжують скористатися перевагами 14-нанометрів, з Viski Lake для клієнтів і Cascade Lake для дата-центру, який з'явиться пізніше цього року.

Тоді Кржаніч стверджує, що ці затримки є більш-менш діловими, як звичайно, і що Intel продовжує реалізувати реальні вигоди за Законом Мура. Він стверджує:

Наприклад, оптимізація процесів на 14 нм та вдосконалення архітектури призвели до зростання продуктивності більш ніж на 70 відсотків з моменту запуску перших 14-нанометрових продуктів. Ми об'єднуємо ці досягнення у технології виготовлення та архітектурі, щоб виробляти справді лідерські продукти. І це той лідер, який в кінцевому підсумку найбільше стосується наших клієнтів та кінцевих користувачів.

Під час опитування Крзаніч визнав, що труднощі з 10-нм пов'язані з тим, що ще не було використано EUV, але стверджував, що Intel все ще має "лідерство в процесі та продуктивності", і знову заявив, що компанія зробила "70-відсоткове поліпшення" до 14-нм над його час життя. Він також стверджував, що 10-нм проблеми Intel були пов'язані з його агресивним масштабуванням - щось може бути правдою, з огляду на те, що Intel зробила агресивні цілі на 10 нм. Але щодо Брайана Крзаніча, це 70-відсоткове поліпшення показника - це не те, що Intel зможе зберегти копіювання, і незрозуміло, що це корисна точка даних у цьому контексті. Наведене нижче слайд-шоу містить інформацію про 10nm вузлі Intel, яку раніше виявляли компанії; хоча, очевидно, тепер ми очікуємо, що ці частини будуть не раніше 2019 року.

Цей слайд узагальнює, чому Intel хоче інший показник для процесів вузлів. Ще в порівнянні з "іншими" 14-нм, його щільність транзисторів все ще 1.23x вище. Примітка. Ми не знаємо, які конкретні вузли процесу в Samsung або TSMC порівнювали з продуктами Intel.

Основний аргумент Intel щодо продовження закону Мура полягає в тому, що його 10-нм буде більшим поліпшенням його щільності транзисторів 14-нм, ніж у будь-якого попереднього покоління.

Цей же графік, що й попередній слайд, але з сировими числами на густину транзистора замість точок масштабування.

Що стосується транзисторного шару воріт, то 20 нм та перша покоління 14nm / 16nm були приблизно порівнянними з 22nm вузлом Intel. Пізніше продукт 14 / 16нм поліпшився на цій метриці, але все ще відстає трирічний вузол Intel.

Літійні вироби з чистого лиття порівняно покращуються в порівнянні з Intel у масштабі металевого кроку, але вони все ще не відповідають 14-нм Intel, багато що дозволяє його 10-нм ціль. Знову ж таки, вони прогнозують розгортання 10-нм на щось ближче до Intel 14-нм.

Очікується, що видобуток чистограну лити перевищить щільність 14-нм транзисторів Intel, коли вони будують 10-нм продукції в обсязі, але Intel вважає, що його щільність 10-нм буде значно кращою.

На цьому слайді є два цікаві речі. По-перше, це підтверджує, що Intel * буде * розгортати вузол 14nm ++, як це було раніше, і що перше покоління 10-нм не забезпечить однакову продуктивність. Клієнтам сьогоднішнього озера Кабі буде довелося чекати 10-нм + +, очікуваного до 2020 р., Щоб побачити підвищення рівня продуктивності на рівні транзистора вище та вище, ніж пропонують озеро Кабі.

70-відсотковий приріст, про який Intel розмовляє, здається, пов'язаний з його рішенням, нарешті, надати більш високий показник основних частот на мобільних пристроях. Нижче ми познайомили загальну прогресію з 5-го покоління ядра (Broadwell, перша покоління 14-нм) до 8-го покоління ядра (Кав'ярне озеро, 14nm ++) нижче, з чіпом 7-го озера Каби, яке викинуло на користь порівняння.

Intel абсолютно одержала деякі поліпшення годинника завдяки своєму розвиненому 14-нм процесору - Core i7-7650U таймер 1,14x вище, ніж i7-5650U, а пікові одноядерні частоти значно вище на чіпі 8-го покоління в порівнянні з OG 14nm. Огляди та тести 8-го покоління також вказують на те, що перехід на чотириядерні процесори призвів до суттєво більшої продуктивності в аналогічному режимі роботи акумулятора, завдяки чому ці компоненти стають перемогою для Intel на всьому шляху. Добре та добре.

Але існує обмеження на те, скільки ядер ви можете упакувати в процесор, зберігаючи високу частоту, незалежно від того, наскільки агресивно ви налаштовуєте свій процес. Збільшення до шестиядерного мобільного чіпа не призведе до збільшення того ж розміру Intel (це частково менший прибуток у відсотках), і це призведе до більш жорстких обмежень на мінімальний і максимальний годинник. Цілком ймовірно, що Intel, яка не мала початкових планів ітерації на 14nm протягом трьох поколінь, значною мірою використала покращення, які він може вичавити з вузла.

Оцінка пояснень Intel

З одного боку, все, що говорив Кржаніч на конференції, має сенс. Як ми писали раніше, вузол зменшується, оскільки геометрія зменшилась. Не маючи доступ до EUV, означає, що напівпровідникові фірми повинні використовувати такі стратегії, як багатопрограмне моделювання, а багатоконтрольне моделювання призводить до вибуху літографії. Заявка Intel про те, що шлях до 7нм без EUV завжди був трохи сумнівним, тому не дивно, що компанія зіткнулася з 10-нм. І хоча TSMC і Samsung обидва доставили 10нм на деякий час, цілі вузла Intel 10nm мають розміри, які відповідають тому, що лінії для чистої гри ведуть до 7нм. Можна переконливо стверджувати, що він взяв TSMC, GF і Samsung років, щоб відповідати розмірам Intel, а не на зворотному (Intel 14nm ≈ Foundry 10nm).

З іншого боку, Intel запустив 14-нм назад у 2014 році, прогнозуючи 10-нм на кінець 2016 року або на початку 2017 року. Тоді цей графік повернувся до 2018 року. Тепер він скидається до 2019 року. Крзаніч може поговорити про вдосконалення Intel до 14-нм, але жодна з них не зміниться той факт, що компанія ніколи не потребувала п'яти років для переходу вузлів раніше. І навіть зараз Intel не хоче сказати, що вона буде запускатися на 10-нм у першому півріччі 2019 року - це лише вимовляючи "2019 рік". Рішення Intel найняти колишнього дизайнеру AMD Zen Джима Келлера від Тесли та встановити його як старшого віце-прем'єра з кремній техніки також передбачає, що компанія хоче заспокоїти інвесторів, що його 10-метрові пандуси приділяють повну увагу. Але, незалежно від того, ми зараз говоримо про те, чи зможе Intel конкурувати зі своїми конкурентами за розмірами функцій, а не продовжувати вести цю галузь.

Неясно, як ці затримки вплинуть на зусилля Intel, спрямовані на боротьбу з відродженням AMD. Ми вже чули чутки про те, що компанія готує вісім ядра кавового озера - це може бути обладнання, яке Intel згадує раніше. Березня 2, 7 вересня, дебютує в AMD, хоча ми не впевнені, наскільки добре GF виконує на своїх власних рампах. Intel спочатку не мав намір стрибати 10-нм для настільних комп'ютерів, тому затримка може не мати значного впливу на робочий простір. Але затримка на 10nm на мобільному телефоні полегшить постачальникам ARM та власним частинам компанії Ryzen Mobile конкурувати в цьому просторі протягом 2018 року.