Samsung представляє перші металеві ворота High-K 512GB DDR5, до 7200Mbps

Samsung представляє перші металеві ворота High-K 512GB DDR5, до 7200Mbps

Samsung оголосив новий модуль DDR5 512GB, здатний передати ставки до 7200 Мбіт / с, використовуючи технологію High-K Metal Gate. Деякі з вас можуть пам'ятати дискусії HKMG від деяких років тому, коли Intel представила технологію процесора або знову під час епохи 28nm / 32nm, коли мова йшла, як частина дебатів East-First / Gate-Last.

Перехід до діелектричних засобів High-K Samsung прийняв нову заміну матеріалу для діелектричних діоксидів діоксиду кремнію, які раніше використовувалися. Цей новий матеріал - Intel використовується Hafnium у 2007 році - має вищу діелектричну константа (K) значення, ніж діоксид кремнію, ймовірно, використовуваний раніше, що означає, що він витікає менше струму при однаковій товщині.

Ми бачили, як ця технологія, розгорнута в логічних чіпах, але, як теометрія, зменшилися, це стало корисним для промисловості Dram.

Samsung представляє перші металеві ворота High-K 512GB DDR5, до 7200Mbps

Згідно з Samsung, ці нові модулі HKMG використовують 13 відсотків менше енергії, ніж вони інакше. Samsung спочатку дебютував HKMG в GDDR6 назад у 2018 році, але це перший раз, коли ми бачили технологію в робочому столі Mainstream.

Очікується, що підтримка DDR5 буде введена з платформою Sapphire Rapids Intel, яка повинна прибути до 2022 року. Ми могли б побачити деякі прототипні системи з DDR5 та Олдер-Олдером - Компанія може спроектувати чіп Next-Gen, щоб підтримати як DDR4, так і DDR5. Будь-яка програма AMD-платформи цього року також може використовувати DDR4. DDR5 освіжає для споживчих апаратних та нових платформ (LGA1700 для Intel та очікуваного AM5 для AMD), ймовірно, прибуде в 2022 році.

DDR5, коли він приїжджає, очікується, що вийде на DDR5-4800 - 1,5x пропускну здатність високого кладу DDR4 - а потім масштаб вгору звідти, з швидкістю, настільки високими, як DDR5-8400, теоретично можливий, після того, як виробники пам'яті отримують деякий час зі стандартом. Це відхід від попередніх переходів DDR, де новий стандарт запущений у пропускній здатності Старого Стандарту. Ви можете купити DDR3-2400, але найвищий годинник JEDEC-затверджений був DDR3-1600, і саме там почав DDR4. Настільний процесор не є сильно затримкою, тому він буде цікавим, щоб побачити, чи розрив більшої смуги пропускання між DDR4 та DDR5 у запуску створює значущий розрив на випуск за межами тестів пам'яті.

Інтегрована графіка, з іншого боку, завжди буде корисним від більшої кількості пропускної здатності пам'яті. Двоканальний DDR5-8400 буде доставити еквівалент 134,4 Гб / с пропускної здатності пам'яті до інтегрованого рішення, і ми з нетерпінням чекаємо її.

Читати далі

NASA починає складати космічний корабель для вивчення величезного металевого астероїду
NASA починає складати космічний корабель для вивчення величезного металевого астероїду

Наступного року ця частина апаратного забезпечення буде їздити на орбіті Spacex, а потім вона відбудеться до астероїдного поясу, щоб вивчити його назву, багату металевою астероїдом 16 психіка.

Гравітація "Аномалія" на південному полюсі Місяця може бути похована металевим астероїдом
Гравітація "Аномалія" на південному полюсі Місяця може бути похована металевим астероїдом

Великий кратер у південному полярному регіоні містить великий запас щільного матеріалу, можливо, залишки стародавнього металевого астероїда.

Дослідники можуть, нарешті, створити металевий водень
Дослідники можуть, нарешті, створити металевий водень

Вчені намагаються виробляти металевий водень протягом десятиліть, але ніхто не зумів довести неспростовні докази успіху. Команда дослідників у французькій Комісії з атомної енергії є останньою, яка претендує на успіх завдяки паперу, розміщеному на сервері arXiv.